機(jī)床主要特點(diǎn):
★WX7-012為六軸數(shù)控高精度立式磨削加工中心,控制系統(tǒng)采用西門子828D.,一次裝夾能磨削零件內(nèi)孔、外圓、錐面、端面、多階孔、多階端面以及坐標(biāo)孔、橢圓等各種異型面。
★機(jī)床采用雙磨架雙磨頭結(jié)構(gòu)
★導(dǎo)軌采用高精度、高抗振性的力士樂滾柱導(dǎo)軌,可選配減振阻尼裝置,有效減少磨削振紋。
★滾珠絲桿采用高精度進(jìn)口產(chǎn)品,并有一套增強(qiáng)絲桿剛性的預(yù)拉伸裝置,從而保證絲桿進(jìn)給精度。
★回轉(zhuǎn)工作臺(C1軸)采用德國靜壓技術(shù)的帶自反饋的閉式靜壓軸承,靜壓工作臺的徑向及軸向跳動均≤0.001mm。回轉(zhuǎn)工作臺由西門子力矩電機(jī)驅(qū)動,并由海德汗角度編碼器實現(xiàn)閉環(huán)控制,從而完成工件的非整圓、分段圓弧面、坐標(biāo)孔、橢圓等異形曲線的磨削。
★上、下往復(fù)磨架(Z軸)采用液壓平衡。
★機(jī)床導(dǎo)軌、減振阻尼塊及滾珠絲桿均由潤滑站自動潤滑。并有密封的罩殼防護(hù)。
★機(jī)床配備標(biāo)準(zhǔn)多T型槽花盤,也可選配多磁極電(永)磁吸盤及各種專用夾具。
★機(jī)床X、Z、B、C1同服軸均采用海德漢光柵尺閉環(huán)控制方式。
★機(jī)床尺寸控制采用定程磨削,也可選配意大利MARPOSS在線測量裝置.
★機(jī)床配備單(多)點(diǎn)直線砂輪修整器,也可選配圓弧砂輪修整器、金剛滾輪修整器。
★機(jī)床采用高精度、高剛性進(jìn)口電主軸,
★機(jī)床采用全封閉罩殼,并可選配吸霧器。
主要用途及適用范圍:
主要用于中大型齒輪類、盤套類零件內(nèi)孔、外圓、錐面、端面、坐標(biāo)孔分段圓弧面、橢圓等各種異形型面的精密磨削以及大型軸承套圈各表面的精密磨削加工。各表面磨削一次裝夾完成,保證各磨削面的位置精度,是新一代高精度,高效率的生產(chǎn)型機(jī)床。
該機(jī)床特別適用于帶有各種錐面、坐標(biāo)孔、分段圓弧面、橢圓等各種異形型面的大型零件的批量生產(chǎn),
主要規(guī)格與參數(shù)
| 磨削孔徑 | Grinding ID | Φ30-500 mm |
| 蕞大磨削深度 | Max. grinding depth | 350 mm |
| 蕞大磨削外徑 | Max. grinding OD | Φ800mm |
| 回轉(zhuǎn)工作臺直徑 | Diameter of rotary table | Φ700 mm |
| 工件蕞大回轉(zhuǎn)直徑 | Max. swing diameter of worktable | Φ700 mm |
| 蕞大磨削端面外徑 | Max. OD of endface to be ground | Φ800mm |
| 橫梁滑板行程(X軸) | Stroke of horizontal slide on cross beam(Axis X) | 1500mm |
| 磨架上、下往復(fù)行程(Z軸) | Stroke of up-down movement of vertical slide (Axis Z) | 370 mm |
| 工件主軸轉(zhuǎn)速(無級調(diào)速) | Workspindle speed (speed varied by frequency converter) | 10-100r/min |
| X、Z軸蕞高速度 | Max. moving speed of Axis X and Z | 6m/min |
| X、Z軸分辨率 | Resolution of Axis X and Z | 0.001mm |
| 工作臺蕞大承重 | Max. loading ability of worktable | 2000 kg |
| 機(jī)床總功率 | Total power | 60 kw |
| 機(jī)床重量 | Weight of the machine | 8000 kg |
工作精度
| 內(nèi)、外圓圓度 | Round ness of both ID & OD | 0.002mm |
| 內(nèi)、外圓圓柱度 | Cylindricity of both ID & OD | 0003mm |
| 內(nèi)、外圓同軸度 | Coaxality between ID & OD | 0.003mm |
| 端面與內(nèi)外圓的垂直度 | Perpendicularity of endface to ID/OD 0.003mm | |
| 表面粗糙度 | Surface roughness of both ID & OD | Ra0.2μm |
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